晶圆检测
一,晶圆边缘检测设备
1)手动轮廓仪EGPRO-512
*以非接触的自动测量方式对晶圆倒角后的edge和notch两种晶圆的形状与尺寸进行测定。
*设备可以对2英寸wafer到12英寸wafer进行自动测量。
*测量是在晶圆操作台上以非接触的方式进行。
*可测定部分:边缘,槽口(notch)和OF边的长度(OPTION)。
*搭载电脑控制系统,测量结果可保存在各种外部记忆媒体。
*具备LAN连接功能,测量数据可以随时在network范围内查阅。
2)手动GWProfile(6~8;12英寸)
*针对晶圆Notch形貌、Edge形貌以及厚度尺寸测量所应用的手动式设备。
*已非接触的方式自动测量150~200毫米晶圆的倒角尺寸(最大不包括9点_凹槽)、凹槽
尺寸和厚度尺寸, 结果显示在屏幕界面。
*晶圆用手放在测量Chuck上,固定方式为背面吸附。
3) 自动GWProfile(6~8;12英寸)
*针对 Notch 形貌、Edge 形貌、厚度尺寸以及直径测量所应用的设备。
*以非接触方式自动测量 300mm 晶圆的倒角尺寸(最多 9 点_不包括 Notch 部分),Notch 尺寸,厚度尺寸和直径尺寸,将结果表示于显示器上,并将结果传递给上级主体。
二,表面缺陷检测装置(魔鏡)-YIS系列手动,自动型
利用魔镜的原理、来观察那些目视无法确认的晶圆镜面样品表面上的micro缺陷。凸面缺陷较为明亮、凹面缺陷较为暗淡。通过明暗表示测定缺陷種類、缺陷位置、以及缺陷尺寸。可检测晶圆表面的Dimples、凹凸、研削痕、研磨痕、滑移线、Edge缺陷、翘曲、变形等。 Cassette to cassette的方式进行晶圆自動搬送、自動画像解析機能、能够实现拥有较高重复性精度的高速自动缺陷检测。
*Si晶圆制造的最终检测工艺。
*半導体厂家的晶圆验收检测工程。
*SiC,GaN等化合物晶圆的表面缺陷检测。
*蓝宝石、水晶、Glass晶圆的表面以及内部缺陷检测。
*鏡面基板、透明样品(Glass、Film)的缺陷检测。
*金属样品(鏡面)的表面缺陷检测。
三,晶圆厚度/形状测量设备
针对晶圆的厚度和形状进行非破坏式测量,根据测量结果可最大分选至三个片盒内。
*进行晶圆厚度/形状检测。
*背面吸附: 搬送机器人、Aligner。
*适用φ300mm的晶圆。厚度 :700~1000μm。
*检测对象项目:晶圆缺陷、Bow/Warp
*检测区域:FQA:294mm(不含外周3mm)。
*产能:测量处理(厚度?形状测量):75秒/枚以下(4线、2mm Pitch)。
*厚度测量
测量方式:静电容量方式
测量位置:晶圆中央部1点或是、与后述的Bow/Warp 的测量同一点
测量范围:700~1000μm
测量精度:±0.5μm以下
传感器和晶圆无接触,测量范围大致为下述所记内容。
W+|T-A|<200μm
W:Warp、 T:Thickness
A:传感器测量范围中心厚度
| |:绝对值
*晶圆形状测量
测量方式: 静电容量方式
测量位置: 由以下条件、可以设定(通过recipe设定)
R方向:1mm Pitch以上
θ方向:11.25°Pitch以上(包括传感器的测量领域(φ6mm))
测量精度:±1μm以下 *
Warp ~200μm
Bow ~-100~+100μm
*晶圆分选:检测结束后根据晶圆的厚度/形状测量结果,最大可分选至3个片盒中。
四,晶圆膜厚测试机
自动膜厚测试机EFEM,搭配客户OPTM测量头,完成晶圆片自动上料、外延膜厚检测、分拣下料。
*晶圆尺寸8/12 inch。
*晶圆材质:Sapphire、LT/LN(含透明和非黑化基板)、Si 、 SiC。
*客户端OPTM测量头,设备尺寸556(W)×566(D)×618(H)mm,单次检测C/T约20s。
*根据OPTM反馈测量结果对测试晶圆片进行OK/NG分选。